Beschreibung

Technologie-Forschungsingenieur für Leistungshalbleiter (w/m/div.)

JobID

REF278118H

Job veröffentlicht

13.02.2026

Standort

Renningen

Vertragsart

Vollzeit, unbefristet

Startdatum

nach Vereinbarung

Einstieg als

Absolvent*in

Unternehmen

Robert Bosch GmbH

Fragen zum Bewerbungsprozess

Christine Weber (Personalabteilung)

+49 711 811 6367

Fachliche Frage

Andreas Burck (Fachabteilung)

+49 711 811 8530

Aufgaben

Zukünftige Entwicklungen in der Energie- und Fahrzeugtechnik werden getrieben von der Forderung nach Reduzierung der CO2-Emission und Ressourcenschonung. Hierzu werden in der Leistungselektronik für alle Arten von elektrischen Antrieben neuartige Ansätze für Halbleiter-Bauelemente benötigt. Der Einsatz von „Wide Bandgap”-Halbleitermaterialien wie Siliciumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Galliumoxid (Ga2O3) ermöglicht es, extrem energieeffiziente leistungselektronische Systeme zu realisieren. Werden Sie Teil unseres Teams und arbeiten Sie aktiv in der Forschung zu Wide-Bandgap-Halbleiter-Devices mit.

Sie entwickeln und fertigen neuartige Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter für zukunftsweisende Anwendungen in der Elektromobilität.
Mit Ihrer Expertise treiben Sie die Entwicklung neuer Chip-Prozesse sowie ganzer Prozessflüsse aktiv voran und prozessieren die Bauelemente in unserem Forschungsreinraum.
Sie führen die elektrische sowie physikalische Charakterisierung der gefertigten Bauelemente durch, um ein tiefgreifendes Verständnis für die Wechselwirkungen zwischen Prozessen und elektrischen Eigenschaften aufzubauen.
Die Untersuchung und Bewertung neuartiger Bauteilekonzepte auf deren Potenzial und Umsetzbarkeit gehört ebenfalls zu Ihrem Verantwortungsbereich.
In enger Abstimmung mit internen sowie externen Partnerinnen bzw. Partnern steuern Sie Prozessabläufe sowie Maskenlayouts, verantworten die Charakterisierung und bewerten die Ergebnisse anhand der gesetzten Anforderungen.
Sie erkennen das Potenzial neuer Konzepte sowie Ideen und verantworten deren patentrechtliche Absicherung.

Profil

Ausbildung: überdurchschnittlich abgeschlossenes Hochschulstudium (Master/Diplom) der Physik, Mikrosystemtechnik, Elektrotechnik, Werkstoffwissenschaften oder vergleichbarer Fachrichtung; Promotion wünschenswert
Erfahrungen und Know-how: Kenntnisse und Erfahrungen im Bereich der Leistungshalbleiter und der Physik elektronischer Bauelemente; praktische Erfahrung in Halbleiterprozessen (u.a. nasschemische Prozesse) und im Reinraum erforderlich; fundierte Kenntnisse im Bereich Festkörperphysik und -technologie sowie ein tiefes Verständnis für physikalische Grundlagen und Zusammenhänge
Persönlichkeit und Arbeitsweise: Sie sind eine aufgeschlossene Persönlichkeit, die sich mit Begeisterung tief in komplexe Themen einarbeitet und Freude daran hat, im Team Neues zu schaffen; mit Ihrer ausgeprägten Kommunikations- und Kooperationsfähigkeit inspirieren Sie nicht nur sich selbst, sondern motivieren auch Ihr Umfeld für gemeinsame Ziele; Ihre Arbeitsweise ist analytisch, gewissenhaft und stets auf die bestmögliche Lösung ausgerichtet, ohne dabei den Teamgedanken aus den Augen zu verlieren
Sprachen: verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse in Wort und Schrift

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